| No. |
Part Name |
Description |
Manufacturer |
| 1 |
24C01SC-S |
24C01C-P24C01C-IP24C01C-EP24C01C-SN24C01C-ISN24C01C-ESN24C01C-ST24C01C-IST24C01C-EST |
Microchip |
| 2 |
24C01SC-S08 |
24C01C-P24C01C-IP24C01C-EP24C01C-SN24C01C-ISN24C01C-ESN24C01C-ST24C01C-IST24C01C-EST |
Microchip |
| 3 |
24C01SC-W |
24C01C-P24C01C-IP24C01C-EP24C01C-SN24C01C-ISN24C01C-ESN24C01C-ST24C01C-IST24C01C-EST |
Microchip |
| 4 |
24C01SC-W08 |
24C01C-P24C01C-IP24C01C-EP24C01C-SN24C01C-ISN24C01C-ESN24C01C-ST24C01C-IST24C01C-EST |
Microchip |
| 5 |
24C01SC-WF |
24C01C-P24C01C-IP24C01C-EP24C01C-SN24C01C-ISN24C01C-ESN24C01C-ST24C01C-IST24C01C-EST |
Microchip |
| 6 |
24C01SC-WF08 |
24C01C-P24C01C-IP24C01C-EP24C01C-SN24C01C-ISN24C01C-ESN24C01C-ST24C01C-IST24C01C-EST |
Microchip |
| 7 |
24C02SC-S |
24C01C-P24C01C-IP24C01C-EP24C01C-SN24C01C-ISN24C01C-ESN24C01C-ST24C01C-IST24C01C-EST |
Microchip |
| 8 |
24C02SC-S08 |
24C01C-P24C01C-IP24C01C-EP24C01C-SN24C01C-ISN24C01C-ESN24C01C-ST24C01C-IST24C01C-EST |
Microchip |
| 9 |
24C02SC-W |
24C01C-P24C01C-IP24C01C-EP24C01C-SN24C01C-ISN24C01C-ESN24C01C-ST24C01C-IST24C01C-EST |
Microchip |
| 10 |
24C02SC-W08 |
24C01C-P24C01C-IP24C01C-EP24C01C-SN24C01C-ISN24C01C-ESN24C01C-ST24C01C-IST24C01C-EST |
Microchip |
| 11 |
24C02SC-WF |
24C01C-P24C01C-IP24C01C-EP24C01C-SN24C01C-ISN24C01C-ESN24C01C-ST24C01C-IST24C01C-EST |
Microchip |
| 12 |
24C02SC-WF08 |
24C01C-P24C01C-IP24C01C-EP24C01C-SN24C01C-ISN24C01C-ESN24C01C-ST24C01C-IST24C01C-EST |
Microchip |
| 13 |
28C256ASC-1 |
High speed 120 ns CMOS 256 K electrically erasable programmable ROM 32K x 8 BIT EEPROM |
Turbo IC |
| 14 |
28C256ASC-1 |
High speed CMOS. 256K electrically erasable programmable ROM. 32K x 8 bit EEPROM. Access time 120 ns. |
Turbo IC |
| 15 |
28C256ASC-2 |
High speed 150 ns CMOS 256 K electrically erasable programmable ROM 32K x 8 BIT EEPROM |
Turbo IC |
| 16 |
28C256ASC-2 |
High speed CMOS. 256K electrically erasable programmable ROM. 32K x 8 bit EEPROM. Access time 150 ns. |
Turbo IC |
| 17 |
28C256ASC-3 |
High speed CMOS. 256K electrically erasable programmable ROM. 32K x 8 bit EEPROM. Access time 200 ns. |
Turbo IC |
| 18 |
28C256ASC-3 |
High speed 200 ns CMOS 256 K electrically erasable programmable ROM 32K x 8 BIT EEPROM |
Turbo IC |
| 19 |
28C256ASC-4 |
High speed 250 ns CMOS 256 K electrically erasable programmable ROM 32K x 8 BIT EEPROM |
Turbo IC |
| 20 |
28C256ASC-4 |
High speed CMOS. 256K electrically erasable programmable ROM. 32K x 8 bit EEPROM. Access time 250 ns. |
Turbo IC |
| 21 |
28LV256SC-3 |
Low voltage CMOS. 256K electrically erasable programmable ROM. 32K x 8 bit EEPROM. Access time 200 ns. |
Turbo IC |
| 22 |
28LV256SC-3 |
Speed: 200 ns, Low voltage CMOS 256 K electrically erasable programmable ROM 32K x 8 BIT EEPROM |
Turbo IC |
| 23 |
28LV256SC-4 |
Speed: 250 ns, Low voltage CMOS 256 K electrically erasable programmable ROM 32K x 8 BIT EEPROM |
Turbo IC |
| 24 |
28LV256SC-4 |
Low voltage CMOS. 256K electrically erasable programmable ROM. 32K x 8 bit EEPROM. Access time 250 ns. |
Turbo IC |
| 25 |
28LV256SC-5 |
Speed: 300 ns, Low voltage CMOS 256 K electrically erasable programmable ROM 32K x 8 BIT EEPROM |
Turbo IC |
| 26 |
28LV256SC-5 |
Low voltage CMOS. 256K electrically erasable programmable ROM. 32K x 8 bit EEPROM. Access time 300 ns. |
Turbo IC |
| 27 |
28LV256SC-6 |
Speed: 400 ns, Low voltage CMOS 256 K electrically erasable programmable ROM 32K x 8 BIT EEPROM |
Turbo IC |
| 28 |
28LV256SC-6 |
Low voltage CMOS. 256K electrically erasable programmable ROM. 32K x 8 bit EEPROM. Access time 400 ns. |
Turbo IC |
| 29 |
2MBI150SC-120 |
IGBT MODULE ( S-Series ) |
Fuji Electric |
| 30 |
2N7002W |
Small Signal MOSFET 60V 340mA 1.6 Ohm Single N-Channel SC-70 |
ON Semiconductor |
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